삼성전자가 개발한 CTF 기술

삼성전자가 첫 개발한 CTF기술은?

최명용 기자

[그림설명]삼성전자가 세계 최초로 개발한 차세대 반도체 제조기술인 CTF(Chage Trap Flash) 낸드 기술의 개념도. 좌측 그림은 기존 플로팅게이트 방식의 메모리반도체 제조 개념도이고, 우측 그림은 CTF방식의 반도체 제조기술이다. 플로팅게이트 방식은 도체에 전자를 입력해 메모리기능을 하는데 반해 CTF방식은 부도체에 전자를 입력시켜 메모리기능을 하도록 한다. 자석에 전자를 저장하는 것과 치즈에 전자를 저장하는 것으로 이해하면 된다. 자석(도체)에 전자를 입력하면 자기장의 영향으로 오작동이 이뤄질수 있으나 치즈(부도체)에 들어간 전자는 자기장의 영향을 받지 않아 오작동의 위험이 없다. 반도체 제조 공정도 플로팅 게이트 방식은 콘트롤게이트 밑에 플로팅게이트가 필요하지만 CTF는 콘트롤게이트 하나로 메모리 셀을 만들 수 있다. 반도체 제조공정은 20%, 반도체의 높이(두께)는 80% 정도 줄어 들어 원가경쟁력이 뛰어나다.